芯片測(cè)試是一種直接貫穿整個(gè)ic設(shè)計(jì)和量產(chǎn)過(guò)程中的大問(wèn)題。

芯片出廠fail因此，需要對(duì)芯片進(jìn)行各種仿真驗(yàn)證：

1.功能fail：一個(gè)功能點(diǎn)沒(méi)有實(shí)現(xiàn)，這通常是由設(shè)計(jì)引起的。一般來(lái)說(shuō)，在設(shè)計(jì)階段之前，使用芯片測(cè)試座來(lái)模擬和驗(yàn)證功能。因此，設(shè)計(jì)芯片通常需要80%左右的時(shí)間。

2.性能fail：性能參數(shù)要求未通過(guò)，如2G的cpu只能跑到1.5G，在所需的轉(zhuǎn)換速度和帶寬環(huán)境下，數(shù)模轉(zhuǎn)換器的有效位數(shù)enob達(dá)到12位，但只有10位lna的noisefigure指標(biāo)不達(dá)標(biāo)等。這類問(wèn)題一般是由兩個(gè)方面引起的，一是系統(tǒng)設(shè)計(jì)沒(méi)有足夠的余量，二是物理實(shí)現(xiàn)領(lǐng)域很差。這類問(wèn)題過(guò)模擬驗(yàn)證的。當(dāng)然，模擬測(cè)試離不開匹配的芯片測(cè)試座。

3.生產(chǎn)fail：

造成這個(gè)問(wèn)題的原因是單晶硅的生產(chǎn)。學(xué)過(guò)半導(dǎo)體物理的人都知道，單晶硅是一種常規(guī)的面心立方體結(jié)構(gòu)，它有幾個(gè)晶向，我們通常根據(jù)111晶向生長(zhǎng)單晶。然而，由于溫度等各種外部因素.提拉速度和量子力學(xué)的隨機(jī)性，在生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)移位，這就是所謂的缺陷。

芯片測(cè)試

缺陷的另一個(gè)原因是離子注射，即使退火也不能糾正不規(guī)則的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體中的這些問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致設(shè)備故障，從而影響整個(gè)芯片。